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BGA、QFN、CSP器件焊點(diǎn)空洞分析

發(fā)布日期:2020-07-27 點(diǎn)擊次數(shù):23699

在SMT生產(chǎn)中,BGA、QFN、CSP等無引腳的元器件,在進(jìn)行焊接時(shí),無論是回流焊接還是波峰焊接,無論是有鉛制程還是無鉛制程,冷卻之后都難免會(huì)出現(xiàn)一些在所難免的空洞(氣泡)現(xiàn)象的產(chǎn)生。焊點(diǎn)內(nèi)部發(fā)生空洞的主要成因是FLUX中的有機(jī)物經(jīng)過高溫裂解后產(chǎn)生的氣泡無法及時(shí)逸出。在回流區(qū)FLUX已經(jīng)被消耗殆盡,錫膏的粘度發(fā)生了較大的變化,此時(shí)錫膏之中的FLUX發(fā)生裂解,導(dǎo)致高溫裂解后的氣泡無法及時(shí)的逸出,被包圍在錫球中,冷卻后就形成空洞現(xiàn)象。目前,一般使用X-Ray設(shè)備進(jìn)行檢查空洞的面積,通過X-Ray都可以看到焊球的空洞分布狀況。只要有些器件空洞所占面積的比例不是很大,常常認(rèn)為是符合接受標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)(如IPC-A-610D 8.2.12.4),因此在檢驗(yàn)時(shí)沒有引起足夠的重視。

在眾多的空洞現(xiàn)象中發(fā)現(xiàn),產(chǎn)生空洞現(xiàn)象與焊料本身的表面張力有著直接的聯(lián)系。錫膏的表面張力越大,高溫裂解的氣泡越難逸出焊料球,氣泡被團(tuán)團(tuán)包圍在錫球之中(無鉛焊料的表面張力達(dá)到4.60×10-3 N/260 ℃),表面張力越小,高溫裂解后的氣泡就很容易逃出焊料球,被錫球團(tuán)團(tuán)包圍的機(jī)率就相當(dāng)小(有鉛焊料的表面張力達(dá)到3。80×10-3 N / 260 ℃,Sn63-Pb37,m.p為183 ℃)。已經(jīng)陷入高溫裂解的氣泡,在有鉛焊料密度較大(約8.44 g/cm3)的情況之下,焊料中的合金在相互擠壓下,有機(jī)物就會(huì)向外面逃脫,所以有機(jī)物殘留在焊點(diǎn)中的機(jī)率是相當(dāng)小的,但是無鉛就完全不一樣了。比重不但比有鉛小,而且無鉛的表面張力又比有鉛高出很多,同時(shí)熔點(diǎn)又比有鉛高出34 ℃之多(Sn63-Pb37,熔點(diǎn)為183 ℃,SAC305熔點(diǎn)約為217 ℃),在種種環(huán)境不利的情況下,無鉛焊料中的有機(jī)物就很難從焊球中分解出來,有機(jī)物常常被包圍在焊球中,冷卻后就會(huì)形成空洞現(xiàn)象。

從焊點(diǎn)的可靠度來講,空洞現(xiàn)象會(huì)給焊點(diǎn)帶來不可估計(jì)的風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)空洞現(xiàn)象比較嚴(yán)重的話,還影響焊點(diǎn)的電氣連接,影響電路的暢通。所以空洞現(xiàn)象必須引起SMT業(yè)界人士的高度重視。

 

1 空洞的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)

業(yè)界空洞的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)大部分都沒有確定,從IPC-A-610D版本中的一些初步的定義(8.2.12.4 表面安裝陣列-空洞),我們可以得出以下一些結(jié)論:從設(shè)計(jì)上減少空洞的產(chǎn)生,即焊盤上的微孔不在此標(biāo)準(zhǔn)考慮的范圍之內(nèi)??斩吹臉?biāo)準(zhǔn)由客戶和制造商之間協(xié)商。制造商可以利用各種實(shí)驗(yàn)分析的結(jié)果,制定最終空洞的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)。

可接受-1,2,3級(jí)

空洞小于25%焊球X-Ray射線圖像的面積。

缺陷-1,2,3級(jí)

空洞大于25%焊球X-Ray射線圖像的面積。

以上IPC中只是提到BGA空洞驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn),但是在眾多的國(guó)際大廠中又有許多廠家是不承認(rèn)此標(biāo)準(zhǔn)的,即比此標(biāo)準(zhǔn)更加嚴(yán)格,更加苛刻。例如,IBM認(rèn)為BGA的空洞面積不可超過15%,如果超過了20%就會(huì)影響焊點(diǎn)的可靠度,影響焊點(diǎn)的使用壽命。當(dāng)然,空洞面積越小越好,更小的空洞面積需要更強(qiáng)的工藝去支持。但是IPC-A-610D中卻沒有對(duì)QFN的氣泡(空洞)做相應(yīng)的規(guī)定,對(duì)于這一點(diǎn)IPC卻沒有說明,真是遺憾!現(xiàn)階段有許多QFN器件是用在光纖通信領(lǐng)域中,這對(duì)氣泡要求是相當(dāng)高的。

 

2 空洞的成因與改善

2.1助焊劑活性的強(qiáng)弱影響

前面已經(jīng)論述過,空洞現(xiàn)象的產(chǎn)生主要是助焊劑中的有機(jī)物經(jīng)過高溫裂解后產(chǎn)生氣泡很難逸出,導(dǎo)致氣體被包圍在合金粉末中。從過程中可以看出,關(guān)鍵在有機(jī)物經(jīng)過高溫裂解后產(chǎn)生的氣泡,其中有機(jī)物存在的主要方式有:錫膏中的助焊劑,其它的有機(jī)物,波峰焊的助焊劑或者是浮渣的產(chǎn)生等等。以上的各種有機(jī)物經(jīng)過高溫裂解后形成氣體,由于氣體的比重是相當(dāng)小的,在回流中氣體會(huì)懸浮在焊料的表面,氣體最終會(huì)逸出去,不會(huì)停留在合金粉末的表面。但是,在焊接的時(shí)候必須考慮焊料的表面張力,被焊元器件的重力,因此,要結(jié)合錫膏的表面張力,元器件的自身重力去分析氣體為什么不能逸出合金粉末的表面,進(jìn)而形成空洞。如果有機(jī)物產(chǎn)生氣體的浮力比焊料的表面張力小,那么助焊劑中的有機(jī)物經(jīng)過高溫裂解后,氣體就會(huì)被包圍在錫球的內(nèi)部,氣體深深的被錫球所吸住,這時(shí)候氣體就很難逸出去,此時(shí)就會(huì)形成空洞現(xiàn)象。

從錫膏廠商我們可以了解到助焊劑活性的強(qiáng)弱,溶劑的沸點(diǎn)等等。然而,當(dāng)助焊劑較多活性較強(qiáng)時(shí),空洞產(chǎn)生的機(jī)率是相當(dāng)小的,即使產(chǎn)生空洞現(xiàn)象,其產(chǎn)生的空洞面積也是相當(dāng)少。原因是FLUX的活性較強(qiáng),在待焊界面的氧化能力就弱,去除焊接表面的污物和氧化物就強(qiáng)。此時(shí)待焊表面露出干凈的金屬層,錫膏就會(huì)有很好的擴(kuò)散性和潤(rùn)濕性。焊接中的拒焊,縮錫現(xiàn)象也大大的減少,那么助焊劑的殘留物被包圍的機(jī)率也就不大了,當(dāng)然,空洞產(chǎn)生的機(jī)率就會(huì)減少。如果助焊劑的活性不強(qiáng),待焊表面的污物和氧化物就不容易被去除,表面氧化物和污物就會(huì)停留在被焊金屬的表面,進(jìn)而阻止合金粉末與待焊金屬表面焊接,此時(shí)就會(huì)形成不良的IMC合金層。如果被焊的表面比較嚴(yán)重,此時(shí)根本不可能形成Cu6Sn5IMC合金層,通常我們就會(huì)認(rèn)為是拒焊或者是縮錫現(xiàn)象。

 

2.2與錫膏中FLUX的粘度有關(guān)

如果助焊劑的粘度比較高時(shí),其中松香的含量也是比較高的。此時(shí)助焊劑去除表面氧化物的能力,去除表面污物的能力就越強(qiáng),縮錫,拒焊的現(xiàn)象就大大的減少了,焊接就會(huì)形成良好的IMC合金層,氣泡也是隨之減少,焊點(diǎn)的機(jī)械強(qiáng)度也就提高了,同時(shí)焊點(diǎn)的電氣性能也隨之加強(qiáng)。

 

2.3與焊盤表面的氧化程度有關(guān)

當(dāng)焊盤表面的氧化程度和污物程度越高,焊接后生成的空洞也就越多。因?yàn)镻AD氧化程度越大,需要極強(qiáng)的活性劑才能趕走被焊物表面的氧化物。特別是OSP(Organic  Solderability  Preservatives)表面處理,OSP焊盤上的一層有機(jī)保護(hù)膜是很難被趕走的。如果焊盤表面氧化物不能被及時(shí)驅(qū)趕走,氧化物就會(huì)停留在被焊接物的表面,此時(shí)氧化物就會(huì)阻止合金粉末與被焊接的金屬表面接觸,從而形成不良的IMC,此時(shí)就會(huì)產(chǎn)生縮錫(拒焊)現(xiàn)象。表面氧化比較嚴(yán)重,有機(jī)物經(jīng)高溫分解的氣體就會(huì)藏在合金粉末中,同時(shí)加上無鉛的表面張力大,合金的比重也是比較大,所以氣體就很難逃出,氣體就會(huì)被包圍在合金粉末中。當(dāng)然,空洞就自然就形成了。如果要避免此類現(xiàn)象的產(chǎn)生,就必須避免錫膏和被焊金屬表面的氧化物,否則,是沒有其它辦法可以減少空洞或者縮錫(拒焊)現(xiàn)象。

 

2.4溶劑沸點(diǎn)的影響

不管是波峰焊接前或者是錫膏本身的溶劑,它們兩者之間沸點(diǎn)的高低直接影響B(tài)GA空洞的大小和空洞形成的概率。溶劑的沸點(diǎn)越低,形成空洞的機(jī)率就會(huì)越多。因此大家可以選用高沸點(diǎn)的溶劑來避免空洞現(xiàn)象的產(chǎn)生。如果溶劑的沸點(diǎn)越低,在恒溫區(qū)或者是在回流區(qū)溶劑就已經(jīng)揮發(fā)完畢了,剩下的只是高粘度難以移動(dòng)的有機(jī)物了,只好被團(tuán)團(tuán)包圍。同時(shí),PCB印刷錫膏后盡量不要長(zhǎng)時(shí)間放置在空氣中(通常2小時(shí)以內(nèi)完成作業(yè)),避免錫膏吸收空氣中的水分或者錫膏與空氣接觸發(fā)生氧化現(xiàn)象。這樣會(huì)額外增加空洞現(xiàn)象的產(chǎn)生。所以在選用錫膏的時(shí)候盡量選用高沸點(diǎn)溶劑的錫膏,來減少空洞現(xiàn)象的發(fā)生。

 

2.5 PCB的表面處理方式不同

目前業(yè)界表面處理主要有以下6種方式:

①有機(jī)保護(hù)膜(OSP,Organic  Solderability  Preservatives)

②化鎳浸金(ENIG,  Electroless  Nickel  and  Immersion  Gold)

③浸鍍銀(I-Ag,  Immersion  Silver)

④浸鍍錫(I-Sn,  Immersion   Tin)

⑤浸鍍鉍(I-Bi,  Immersion  Bismuth)

⑥噴錫(HASL,  Hot  Air  Solder  Levelling)

以上6種為業(yè)界現(xiàn)階段的不同表面處理方式,不同的表面處理產(chǎn)生空洞的機(jī)理是一樣的,只是產(chǎn)生空洞的概率和數(shù)量不同而已。其中OSP表面處理產(chǎn)生空洞現(xiàn)象更加明顯,其保護(hù)膜與焊墊界面發(fā)生空洞的概率也最多。保護(hù)膜越厚,發(fā)生空洞的概率就越大。通常OSP的厚度為0.2μm~0.5μm之間,最好在0.35μm左右。 OSP的厚度可以用UV分光光度計(jì)或者使用掃描電子顯微鏡+能量色散譜儀(SEM+EDS)進(jìn)行測(cè)量。如果OSP的保護(hù)膜太厚,同時(shí)助焊劑的活性強(qiáng)度不夠,在回流焊接的時(shí)候是很難將保護(hù)膜驅(qū)趕走,如果回流焊的溫度曲線沒有控制好也會(huì)造成OSP保護(hù)膜在高溫環(huán)境再次氧化。保護(hù)膜沒有被驅(qū)趕走,此層膜就會(huì)阻礙IMC層的形成,如果比較嚴(yán)重就會(huì)造成縮錫或者拒焊現(xiàn)象的產(chǎn)生。如果在高溫區(qū)發(fā)生第二次氧化現(xiàn)象,其結(jié)果是令人擔(dān)憂的。發(fā)生了高溫第二次氧化現(xiàn)象,即使,在PAD上涂敷助焊劑或者是助焊膏在重新回流焊,解決拒焊或者縮錫現(xiàn)象還是不明顯。由此可見控制OSP保護(hù)膜的厚度是非常重要的,因此做PCB的廠商必須嚴(yán)格控制好OSP表面處理的工藝,以免在下游的組裝生產(chǎn)中發(fā)生不必要的爭(zhēng)執(zhí)。至于ENIG, HASL, I-Sn, I-Ag, I-Bi等等的表面處理同樣會(huì)產(chǎn)生空洞,只是它們產(chǎn)生空洞的概率都差不多,與此時(shí)的表面處理方式?jīng)]有太大的區(qū)別,也就是說,發(fā)生空洞現(xiàn)象是有很多因素組成的,并不是單一因素所決定的。

 

2.6 與回流曲線的關(guān)系(Profile)

當(dāng)生產(chǎn)線使用Profile曲線圖熔點(diǎn)以上的時(shí)間太長(zhǎng)時(shí)(通常217 ℃以上的時(shí)間為30 s~60 s),會(huì)讓助焊劑中可以揮發(fā)的物質(zhì)消耗殆盡,進(jìn)而使助焊劑的粘度發(fā)生變化或者助焊劑被燒干,甚至裂解之后不能移動(dòng)。這樣氣體就會(huì)被包圍從而無法移動(dòng),導(dǎo)致空洞的產(chǎn)生。如果無法沾錫或者沾錫時(shí)間比較慢,其結(jié)果空洞就更加明顯了。之前的Sn63Pb37,其熔點(diǎn)為183 ℃,熔點(diǎn)以上的時(shí)間也是相當(dāng)少的(通常在60 s以內(nèi)),這樣就大大的減少了空洞的產(chǎn)生。而相對(duì)于無鉛焊接來講,錫膏的熔點(diǎn)比有鉛高出34 ℃之多,其熔點(diǎn)以上的時(shí)間也比有鉛錫膏高出很多,再加上無鉛焊接的各段時(shí)間和各區(qū)段都比較長(zhǎng),對(duì)助焊劑的活性提出了新的挑戰(zhàn),要求必須強(qiáng)的助焊劑才能幫助焊接。通常恒溫區(qū)以上的時(shí)間(150 ℃~190 ℃)控制在60 s~120 s,峰值溫度控制在235 ℃~245 ℃之間,特別是控制在240 ℃是相當(dāng)好的,這對(duì)BGA的氣泡控制是相當(dāng)有利的。當(dāng)然進(jìn)行溫度控制的同時(shí),要注意不同的BGA的溫度控制是不一樣,要根據(jù)BGA封裝的方式,大小尺寸,BGA腹底錫球的工藝而定,不能千篇一律的概括。這樣去了解和設(shè)置溫度才算是正確合理的,也是符合邏輯的。同時(shí),也可以參考BGA的零件承認(rèn)書。具體情況請(qǐng)參閱《IPC-7095 Design  and  Assembly  Process  Implementation  for  BGAs》BGA的設(shè)計(jì)和組裝工藝的實(shí)施。

 

2.7 與元器件的沾錫時(shí)間有關(guān)

Sn63-Pb37 焊料的沾錫時(shí)間是非常短暫的,大約在0.6 s左右,而SnAgCu焊料的沾錫時(shí)間大約在1.5 s左右。同時(shí)無鉛焊料的表面張力大,移動(dòng)速度非常慢,焊料的潤(rùn)濕性,擴(kuò)散性也比有鉛焊料要差。在這些情況之下,有機(jī)物經(jīng)過高溫裂解后產(chǎn)生的氣體是很難逃出去,氣體會(huì)完全被包圍在合金層中,當(dāng)然無鉛產(chǎn)生空洞的概率要比有鉛產(chǎn)生空洞現(xiàn)象的概率要大得多,這也是當(dāng)今無鉛化焊接課題面臨的一個(gè)難題,一個(gè)挑戰(zhàn)。

 

2.8 焊墊面積大小的影響

當(dāng)BGA的基板采用粘著性助焊劑進(jìn)行植球時(shí),如果植球的焊盤面積比較大時(shí)很容易發(fā)生空洞現(xiàn)象。并且球的半徑R比較大,焊球比較扁時(shí),空洞現(xiàn)象也是比較明顯。因?yàn)楹副P的面積大且焊球比較扁時(shí)需要更多更強(qiáng)的助焊劑來幫助焊接,高溫裂解后的有機(jī)物殘留就更加多,有機(jī)物逸出的路徑,距離也就變大了,原因是焊盤的面積變大了。所以焊墊的面積大小也會(huì)影響B(tài)GA空洞現(xiàn)象的產(chǎn)生。  

 

2.9 錫膏過多的吸入空氣中的水分所致

錫膏要按照正確的方法去使用,錫膏從冰箱中取出時(shí)至少要放在室溫(25 ℃±3 ℃)中回溫4 h,在錫膏回溫中切記不能提前打開錫膏的封蓋,也不能以加溫的方式進(jìn)行錫膏回溫。同時(shí)要避免吸入空氣中的水分。錫膏在上線使用之前一定要進(jìn)行錫膏攪拌,其目的使合金粉末和助焊劑均勻的攪拌,在攪拌的過程中時(shí)間不能太長(zhǎng)(大約3 min),攪拌的力不能太大。如果時(shí)間太長(zhǎng)力量太大合金粉末很可能被粉碎,造成錫膏中的金屬粉末被氧化。如果錫膏粉末被氧化,回流焊之后產(chǎn)生空洞的機(jī)率將大大的增加。錫膏印刷后不能放在空氣中太久(通常在2小時(shí)之內(nèi)),應(yīng)該盡塊進(jìn)行貼片、回流作業(yè),否則錫膏吸入太多的水分會(huì)導(dǎo)致空洞產(chǎn)生的概率增加。由此可以看出,錫膏的正確使用是非常重要的,一定要按照錫膏的正確使用方法去執(zhí)行,否則PCBA回流之后的焊接缺陷將大大的增加。所以,正確的使用錫膏將是保證各種焊接質(zhì)量的前提條件,必須高度重視。

 

2.10 與BGA腹底錫球的控制工藝有關(guān)

BGA焊球的制造工藝與回流焊接的工藝是大同小異的。因此BGA制造廠商如果不嚴(yán)格按照BGA焊球工藝去控制,其結(jié)果焊球本身就會(huì)存在大量的空洞,這樣還沒有過回流焊之前就已經(jīng)產(chǎn)生了空洞,回流焊之后產(chǎn)生空洞就可想而知了。如果BGA回流工藝沒有控制好,焊球空洞的比例將會(huì)增加,焊點(diǎn)的機(jī)械性能和電氣性能將受到很大的影響,特別是機(jī)械強(qiáng)度。因此,在BGA上線使用之前,建議大家可以使用X-Ray進(jìn)行檢查BGA焊球的空洞現(xiàn)象,只是BGA的腹底要朝上,才能進(jìn)行X-Ray檢測(cè)。BGA本身空洞面積要求不超過5%。以這種方式進(jìn)行原料檢查,對(duì)回流焊后的氣泡控制是大有好處的。

 

3 總結(jié)

隨著SMT行業(yè)的高速發(fā)展,組裝密度越來越高(BGA、QFN、CSP、Fine  Pitch  IC等器件的應(yīng)用),元器件越來越小型化(1005、01005元器件的應(yīng)用越來越普遍),PCB基板層數(shù)的增加 ,對(duì)SMT制造工藝提出了新的挑戰(zhàn)。隨著新工藝的引進(jìn),新工藝的研發(fā),對(duì)BGA、QFN、CSP這類器件提出了更高的要求。因此,嚴(yán)格控制BGA、QFN、CSP器件的空洞(氣泡、界面微洞)將變得尤為重要。一旦這些器件的空洞面積超過IPC的標(biāo)準(zhǔn),不但影響B(tài)GA、QFN、CSP器件的機(jī)械性能,而且還影響電氣性能。所以此類器件空洞的控制就變得尤為重要了。

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